公司新闻
台积电宣布10nm工艺完工 下一目标是7nm/5nm
发布时间: 2016-07-18 16:01 更新时间: 2016-07-18 16:01
虽然台积电在16nm finfet工艺量产上略逊于英特尔、三星等巨头,但在10nm的工艺上却处于暂时领先的位置;日前,台积电宣布10nmfinfet工艺已投入量产。
在不久前的股东会议上,台积电高调公布了2016年二季度运营及技术发展情况,并将资本支出提高至105亿美元(比英特尔高出近5亿美元),显示出股东对公司未来的发展非常看好。
会议上,台积电ceo刘德音公布了工艺进展:已经有三个客户使用10nm工艺完成流片。虽然刘德音没有公布这三位电子元器件和ic客户的具体信息,但能用得起10mn工艺芯片的也就是苹果(a10)、联发科(x30)和海思(新一代麒麟处理器)。刘德音还表示,年底前将会收到更多客户的10nm芯片流片订单。
此外,台积电还计划在2020年完成5nm工艺的研发,预计在量产(7nm/5nm工艺)的时候使用euv光刻工艺。以提高密度、简化工艺并降低成本。euv是新一代半导体工艺突破的关键,利用远紫外光的euv曝光技术作为可使电子元器件和ic等半导体进一步微细化,因此备受期待。早期台积电和三星还为了首先使用euv工艺打过嘴仗。
目前台积电公司已经在7nm节点研发上使用了euv工艺,实现了euv扫描机、光罩及印刷的工艺集成。 台积电表示目前他们有4台asml公司的nx:3400光刻机在运行,2017年第一季度还会再购买2台。
之前有报道称三星也购买了asml公司的量产型euv光刻机,目的是在2017年加速7nm工艺量产(芯易网注)。
在7nm工艺方面也进展顺利,台积电宣称已经提前56mb sram芯片。刘德音称台积电的7nm工艺无论在功耗、性能以及ppa密度等方面,都比对手(英特尔、三星)出色,预计2017年上流片、2018年正式量产。
其他新闻
- 2016深圳IC产业前景分析 2016-07-15
- 半导体行业的里程碑“摩尔定律”竟是这样来的…… 2016-07-14
- 中国用30年书写出一部璀璨的芯片行业史 2016-07-06
联系方式
- 地址:深圳 深圳市福田区深南中路3027号汇商中心大厦2922-25
- 邮编:518052
- 电话:4009-626-126
- 负责人:安先生
- 手机:18028751056
- 传真:4009-626-126
- QQ:3070285301
- Email:support@xinyiic.com
站内搜索